访问速度：Flash存储器的读取速度相对较慢，而RAM存储器的读取速度更快。当代码运行在Flash存储器中时，定时器的计时和触发事件可能会受到读取速度的限制，导致定时器的精确性受到影响。 存储器特性：Flash存储器通常是非易失性的，意味着即使断电，数据仍然保持在存储器中。
快好多了啊，关键是有的程序太大了只能在flash里面转，ram可能不会用，尤其是信号处理的时候。
我一直在想这个问题，既然可以搬运一部分代码到RAM中运行，那就可以把所有的搬运过去，但是这样又会出现另外一个问题，就是一般的FLASH 存储空间比RAM大，所以不可能完全全部拷贝过去，所以我一直在想一种可能，是不是我们可以分时的把FLASH里的程序往RAM里调。
在实际项目中，例如使用F28335处理器，迁移后的性能对比显著：RAM运行时，一段代码只需5us，而同样的代码在FLASH中则需要25us，速度提升近5倍。这种优化在高压实验等特殊场合尤为重要，它兼顾了程序的稳定性与执行速度，为工程实践带来了显著提升。
在工程实践中，为平衡内存RAM的高速和闪存（Flash）的非易失性特性，将部分或全部程序代码从Flash迁移到RAM运行是一个常见的优化策略。RAM的优点在于速度快，但数据易丢失，而Flash则适合长期存储但处理速度较慢。通过选择合适的方法，可以解决两者之间的性能矛盾。
在单片机领域，EEPROM和Flash是两种常用的存储器，它们各自承担着不同的功能。EEPROM是一种用户可以随时读/写数据的存储器，类似于RAM，但它并不像RAM那样需要持续供电，即使在断电情况下，数据仍然可以保持不丢失。这意味着EEPROM非常适合用于存储需要长期保存的数据，如设置参数、配置信息等。
